Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 120 A 358 W, 16-Pin IAUTN12S5N018TATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 284-711
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUTN12S5N018TATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IAUTN12S5N018TATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16-1 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 358W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16-1 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 358W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET bietet außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen. Mit seinem N-Kanal-Enhancement-Mode-Design ist dieser Leistungstransistor so konzipiert, dass er die strengen Anforderungen des Automobilsektors erfüllt und eine hervorragende Effizienz und robuste Funktionalität gewährleistet. Mit einer erweiterten Qualifikation, die über die AEC Q101 hinausgeht, wird er erweiterten elektrischen Tests unterzogen, um die Haltbarkeit auch in rauen Umgebungen zu gewährleisten. Dieses Gerät unterstützt einen weiten Betriebstemperaturbereich und eignet sich daher für die unterschiedlichsten Bedingungen im Automobilbereich. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die hohe kontinuierliche Ablassstromfähigkeit machen diesen MOSFET zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Stromverwaltungsaufgaben und sorgen dafür, dass die Fahrzeugleistung unvermindert bleibt.
Konzipiert für die Einhaltung der Automobilvorschriften
Robust für anspruchsvolle Umgebungen
Verbesserte Tests für Zuverlässigkeit
Ausgezeichnete thermische Leistung
Hoher Wirkungsgrad bei minimalem Verlust
Avalanche-Bewertung für Energietransienten
MSL1-Klassifizierung bis zu 260°C
Erweiterte Gate-Ladung für effizientes Schalten
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