Infineon 600V CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 694 W, 22-Pin PG-HDSOP-22

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Herst. Teile-Nr.:
IPQC60R010S7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

600V CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

22

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

694W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

318nC

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon mit dem 600-V-Stromversorgungsgerät CoolMOS SJ S7 von Infineon stellt einen bemerkenswerten Sprung in der MOSFET-Technologie dar, der speziell für Niedrigfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Mit höchster Präzision entwickelt, bietet dieses Gerät eine unvergleichliche Energieeffizienz und ist damit die ideale Wahl für Halbleiterrelais, Überlastschalter und verschiedene Stromverwaltungssysteme. Das fortschrittliche Design, das eine kompakte Abmessung und überlegene Wärmeableitungsfähigkeiten aufzeigt, sorgt für eine optimale Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen. Dieses Gerät, das für seine eindeutigen Vorteile gegenüber herkömmlichen elektromechanischen Komponenten bekannt ist, integriert nahtlose Schaltvorgänge mit außergewöhnlicher Zuverlässigkeit. Er ist vollständig nach JEDEC-Standards für industrielle Anwendungen qualifiziert, was seine Robustheit und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Umgebungen sicherstellt.

Optimiert für Preis und Leistung

Hohe Impulsstromfähigkeit für Robustheit

Kelvin-Source-Pin verbessert die Schaltleistung

Unterstützt Anwendungen, die Stößen und Vibrationen ausgesetzt sind

Interne Body-Diode minimiert Leitungsverluste

Mit TOP-Seitenkühlung für bessere thermische Leistung

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