Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 36.5 A 227 W, 3-Pin IPW95R130PFD7XKSA1
- RS Best.-Nr.:
- 284-923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-923
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über ein fortschrittliches Stromversorgungsgerät, das die neueste Innovation in der Super-Junction-Technologie darstellt, die speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie Beleuchtung und industrielle Netzteile entwickelt wurde. Die Integration von ultraschnellen Gehäuse-Dioden erhöht die Reaktionsfähigkeit und macht sie ideal für Resonanz-Topologien. Mit seiner robusten Leistung und überragenden Zuverlässigkeit steht dieses Gerät an der Spitze der Effizienz im Energiemanagement. Besonderes Augenmerk wurde auf die Verringerung der Rückstromladung gelegt, was höhere Schaltfrequenzen und eine höhere Leistungsdichte in den Designs ermöglicht.
Integrierte schnelle Body-Diode gewährleistet Zuverlässigkeit
Erstklassige thermische Leistung für effiziente Wärmeableitung
Langlebige Konstruktion fördert langfristige Stabilität
Nahtlose Integration in bestehende Schaltkreise
Optimal für Hochspannungsanwendungen mit erhöhter Sicherheit
Kompaktes Gehäuse reduziert den PCB-Footprint und erhöht die Flexibilität
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