Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 63 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 285-050P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.125.25
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.2.505 |
| 100 - 495 | CHF.2.313 |
| 500 - 995 | CHF.2.131 |
| 1000 + | CHF.2.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 285-050P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der MOSFET von Infineon ist ein erstklassiger Leistungstransistor, der für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt wurde. Mit seinen erweiterten N-Kanal-Logikpegel-Eigenschaften zeichnet er sich durch einen sehr niedrigen Widerstand beim Einschalten aus und sorgt so für optimale Energieeinsparungen während des Betriebs. Das innovative SuperSO8-Gehäuse verbessert das Wärmemanagement und ist damit ideal für Hochfrequenz-Schaltaufgaben geeignet. Dieser Zustand der ART-Komponente verfügt über eine ausgezeichnete Gate-Ladeleistung, die die Verluste, die typischerweise in weniger anspruchsvollen Geräten auftreten, erheblich reduziert. Darüber hinaus garantiert die Einhaltung der RoHS- und halogenfreien Vorschriften ein Engagement für umweltfreundliche Technologie.
N-Kanal-Technologie für überlegene Leistung
Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
Konzipiert für Hochfrequenzschaltungen
Entspricht den Industriestandards für Zuverlässigkeit
RoHS- und halogenfrei für Umweltfreundlichkeit
Bewältigt hohe Lawinenenergie für Robustheit
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Verbesserte thermische Eigenschaften für eine bessere Wärmeableitung
Verwandte Links
- Pilz PNOZ s4 Sicherheitsrelais, 24V dc, 2-Kanal, 3 Sicherheitskontakte Not-Aus, 1 Hilfsschalter, 4 ISO 13849-1,
- nVent RAYCHEM Begleitheizung Anschlussset CE-02, 240 x 47 x 64mm, 240mm x 64mm x 47mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 20 x 20 mm, 4-fach Nut 5mm, Länge 1000mm
- RS PRO Serie 2 Alu Strebenprofil 40 x 40 mm, 4-fach Nut 8mm, Länge 1000mm
- Carling Tafelmontage Wippschalter, 2-poliger Wechsler Ein-(Ein), 15 A 21.08mm x 36.83mm beleuchtet, IP66, IP68
- Allen Bradley SMC-3 Sanftstarter 3-phasig 11 kW, 460 V ac / 25 A, Automatik
- nVent RAYCHEM Rohrbegleitheizung Set, selbstregulierend, Warmwassererhaltung, 9W, 20m, 230V ac
- ETI DIAZED-Sicherung, Typ DIII, Anwendungsbereich gG - gL, 63A, 500V ac, E33 Gewinde