Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin IRLML2803TRPBF SOT-23

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Distrelec-Artikelnummer:
304-36-995
Herst. Teile-Nr.:
IRLML2803TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

540mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 1,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 540 mW maximale Verlustleistung - IRLML2803TRPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET bietet verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit für eine Reihe von elektronischen Anwendungen. Er wurde mit der Hexfet-Technologie entwickelt und arbeitet effizient in oberflächenmontierten Konfigurationen, wodurch er sich für kompakte Designs in der Automatisierungs- und Elektrobranche eignet. Die Kombination aus niedrigem RDS(on) und einem hohen kontinuierlichen Drainstrom unterstützt ein optimales Energiemanagement unter verschiedenen Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen maximalen Dauerstrom von 1,2 A für effektive Leistung

• Die hohe maximale Drain-Source-Spannung von 30 V ermöglicht einen vielseitigen Einsatz

• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand von 250 mΩ minimiert Leistungsverluste

• Enhancement-Mode-Betrieb ermöglicht effiziente Schaltfunktionen

• Kompaktes SOT-23-Gehäuse ist ideal für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot

• Funktioniert bei hohen Temperaturen, mit einer maximalen Betriebstemperatur von +150°C

Anwendungsbereich


• Einsatz in DC-DC-Wandlern für effektives Energiemanagement

• Einsatz in Motorsteuerungsschaltungen zur Verbesserung der Präzision

• Geeignet für das Schalten von Stromversorgungen in der Unterhaltungselektronik

• Integriert in Automatisierungssysteme für effizientes Lastmanagement

Was ist die optimale Gate-Spannung für den Betrieb?


Die optimale Gate-Spannung für diesen Baustein liegt bei +10 V, was ein effizientes Schalten und eine gute Leistung ermöglicht.

Wie verhält sie sich bei hohen Temperaturen?


Dieses Bauteil kann bei Temperaturen von bis zu +150°C arbeiten und gewährleistet Zuverlässigkeit unter thermischen Bedingungen.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, er unterstützt gepulste Ableitströme, die deutlich über den Dauerleistungen liegen, und kann kurze Stromstöße aufnehmen.

Welche Befestigungsart wird für dieses Gerät empfohlen?


Die Oberflächenmontage ist der empfohlene Typ, da er eine bessere thermische Leistung und Platzersparnis bei der Schaltungsentwicklung bietet.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?


Ein angemessenes Wärmemanagement und die Einhaltung der maximalen Nennwerte sind notwendig, um Schäden während des Betriebs zu vermeiden.

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