Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 760 mA 540 mW, 3-Pin IRLML5103TRPBF SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
IRLML5103TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

760mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

540mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Höhe

1.02mm

Distrelec Product Id

304-36-996

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 760mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 540 mW maximale Verlustleistung - IRLML5103TRPBF


Dieser MOSFET ist ein vielseitiges elektronisches Bauteil, das sich für effiziente Leistungsschaltanwendungen eignet. Er ist für den Einsatz in der Automatisierungs-, Elektronik- und Maschinenbauindustrie konzipiert und bietet eine kompakte Lösung für Hochleistungsaufgaben. Sein Enhancement Channel Mode verbessert die Betriebseffizienz und macht ihn zu einer beliebten Wahl für Anwendungen, die eine zuverlässige MOSFET-Funktionalität erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• Kompaktes SOT-23-Gehäuse für platzbeschränkte Designs

• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 760 mA für verbesserte Haltbarkeit

• Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V für eine Reihe von Anwendungen

• Niedriger Rds(on) von 600mΩ minimiert den Leistungsverlust und steigert die Effizienz

• Typische Gate-Ladung von 3,4nC senkt Schaltverluste

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energiemanagement- und Umwandlungslösungen

• Geeignet für industrielle Automatisierungseinrichtungen

• Ideal für Schaltnetzteil-Designs

• Unterstützt Batteriemanagementsysteme in elektronischen Geräten

• Eingesetzt in der Motorsteuerung die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern

Wie verhält sich der MOSFET in Hochtemperaturumgebungen?


Es funktioniert effektiv bei Temperaturen bis zu +150 °C und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter schwierigen Bedingungen.

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?


Ein niedriger Rds(on) von 600mΩ verringert den Energieverlust während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz des Systems.

Kann dieser MOSFET in kompakten Designs verwendet werden?


Ja, das SOT-23-Gehäuse ermöglicht die Integration in kompakte Anwendungen ohne Leistungseinbußen.

Wie hoch ist die maximale Gate-Source-Spannung, die dieses Gerät verarbeiten kann?


Er verträgt eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V und gewährleistet einen sicheren Betrieb innerhalb der vorgegebenen Grenzen.

Wie sollte man bei der Installation vorgehen, um eine optimale Leistung zu erzielen?


Die richtige Handhabung und das richtige Layout auf der Leiterplatte sind entscheidend, um ein angemessenes Wärmemanagement und eine optimale Konnektivität zu gewährleisten.

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