onsemi NCV Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 65 V 1.2 W, 8-Pin NCV8406DD1CR2G SOIC-8

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Herst. Teile-Nr.:
NCV8406DD1CR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

65V

Gehäusegröße

SOIC-8

Serie

NCV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

14 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
PH
Der Dual Protected Low-Side Smart Discrete-Baustein von ON Semiconductor bietet umfassende Schutzfunktionen, darunter Überstrom, Übertemperatur, ESD und integriertes Drain-to-Gate-Clamping für Überspannungsschutz. Er ist für zuverlässige Leistung in rauen Automobilumgebungen ausgelegt.

Kurzschlussschutz

Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart

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