onsemi NCV Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Doppelt 65 V / 7 A 1.2 W, 8-Pin SOIC-8
- RS Best.-Nr.:
- 327-795P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV8406DD1CR2G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 327-795P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV8406DD1CR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 65V | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Serie | NCV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Doppelt | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 14V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 65V | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Serie NCV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Doppelt | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 14V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Dual Protected Low-Side Smart Discrete-Baustein von ON Semiconductor bietet umfassende Schutzfunktionen, darunter Überstrom, Übertemperatur, ESD und integriertes Drain-to-Gate-Clamping für Überspannungsschutz. Er ist für zuverlässige Leistung in rauen Automobilumgebungen ausgelegt.
Kurzschlussschutz
Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart