onsemi NVH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 50 A 187 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 327-806P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.159.98
Auf Lager
- 446 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | CHF 16.00 |
| 100 + | CHF 14.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 327-806P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NVH | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NVH | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET EliteSiC von ON Semiconductor ist ein 650 V, 23 mΩ-Baustein im M3S TO-247-4L-Gehäuse. Er ist für eine hocheffiziente und leistungsstarke Leistungsumwandlung konzipiert und bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten. Dieser MOSFET ist ideal für Anwendungen in der Automobilbranche, in der Industrie und in Systemen für erneuerbare Energien und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen.
Die Geräte sind Pb-frei und entsprechen der RoHS-Richtlinie
Qualifiziert für die Automobilindustrie gemäß AEC Q101