ROHM BM2PxxB3JF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 730 V / 4 A 0.63 W, 4-Pin SOP-8

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RS Best.-Nr.:
329-141P
Herst. Teile-Nr.:
BM2P06B3JF-E2
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

730V

Gehäusegröße

SOP-8

Serie

BM2PxxB3JF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.63W

Maximale Betriebstemperatur

105°C

Höhe

1.71mm

Breite

6.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der integrierte DC/DC-Wechselrichter IC vom Typ MOSFET für PWM bietet das optimale System für alle Produkte mit Steckdose. Er ist sowohl mit isolierten als auch mit nicht isolierten Wechselrichtern kompatibel, so dass verschiedene Arten von Wechselrichtern mit geringem Stromverbrauch leicht entwickelt werden können. Die integrierte 730-V-Anlaufschaltung trägt zu einer geringen Verlustleistung bei.

6W-Ausgangsleistung

Schutz gegen nicht verbundenen SOURCE-Anschluss

SOURCE-Anschlussfunktion der Vorderkantenausblendung

Überstrom-Erkennungsfunktion pro Zyklus

Softstart-Funktion

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