ROHM RQ3N, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 15 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 329-148P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3N040ATTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 329-148P
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3N040ATTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 126mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie RQ3N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 126mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Power MOSFET ist ein Leistungsgehäuse mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Leistung, das sich für Schalt- und Motorantriebe eignet. Es zeichnet sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und integrierte Gate-Source-Schutzdiode aus, wodurch es sich für den Einsatz in DC-DC-Wechselrichtern und anderen Energiemanagement-Schaltungen eignet.
Hochleistungsghäuse in kleiner Form
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
100 Prozent Rg- und UIS-getestet
Halogenfrei