STMicroelectronics PD5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 65 V / 7 A 79 W, 10-Pin PowerSO-10RF

Der RF-Leistungstransistor von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-RF-Leistungs-MOSFET mit gemeinsamer Source und lateralem Feldeffekt im Anreicherungsmodus. Es ist für kommerzielle und industrielle Breitbandanwendungen mit hoher Verstärkung konzipiert. Er arbeitet mit 28 V im Gleichtaktbetrieb bei Frequenzen bis zu 1 GHz. Der Baustein zeichnet sich durch die hervorragende Verstärkung, Linearität und Zuverlässigkeit der neuesten LDMOS-Technologie von ST aus, die in das erste echte SMD-Plastik-HF-Leistungsgehäuse PowerSO-10RF eingebaut ist. Die überragende Linearitätsleistung des Geräts macht es zu einer idealen Lösung für Basisstationsanwendungen. Das auf hohe Zuverlässigkeit ausgelegte PowerSO-10-Kunststoffgehäuse ist das erste ST JEDEC-zugelassene SMD-Hochleistungsgehäuse. Es wurde speziell für HF-Bedürfnisse optimiert und bietet hervorragende HF-Leistungen und eine einfache Montage. Montageempfehlungen finden Sie unter www.st.com/rf/ (siehe Anwendungshinweis AN1294).

Ausgezeichnete thermische Stabilität