STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 304 A 167 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 330-573
- Herst. Teile-Nr.:
- STL300N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.52
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.52 |
| 10 - 99 | CHF.2.27 |
| 100 - 499 | CHF.2.10 |
| 500 - 999 | CHF.1.94 |
| 1000 + | CHF.1.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 330-573
- Herst. Teile-Nr.:
- STL300N4LF8
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 304A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 304A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus von STMicroelectronics wurde in STripFET F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trench-Gate-Struktur. Er bietet eine hochmoderne Leistungskennzahl mit sehr geringem Durchlasswiderstand, reduzierten internen Kapazitäten und Gate-Ladung, was ein schnelleres und effizienteres Schalten ermöglicht.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige Gate-Ladung Qg
Verwandte Links
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 304 A 167 W, 8-Pin STL305N4LF8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT STL170N4LF8
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 290 A 167 W, 8-Pin STL300N4F8 PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 167 A 94 W, 8-Pin STL145N4LF8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V / 290 A 167 W, 8-Pin STL305N4F8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 158 A 167 W, 8-Pin STL165N10F8AG PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Typ N-Kanal, Oberfläche N-Kanal MOSFET 40 V / 154 A 111 W, 8-Pin STL160N4F8 PowerFLAT