Microchip PD70224 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 74 V / 2 A, 40-Pin QFN
- RS Best.-Nr.:
- 333-012
- Herst. Teile-Nr.:
- PD70224ILQ-TR
- Marke:
- Microchip
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|---|---|---|
| 2000 + | CHF.9.198 | CHF.18'391.80 |
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- RS Best.-Nr.:
- 333-012
- Herst. Teile-Nr.:
- PD70224ILQ-TR
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 74V | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Serie | PD70224 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 40 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.26Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 192mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 74V | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Serie PD70224 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 40 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.26Ω | ||
Durchlassspannung Vf 192mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Microchip-Doppelpack von MOSFET-basierten Vollbrückengleichrichtern. Er enthält N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem Rds-Wert von 0,16Ω für einen wesentlich höheren Gesamtwirkungsgrad und eine höhere Ausgangsleistung, insbesondere beim Einsatz in Powered Devices (PDs) für PoE-Anwendungen. Die gesamte Treiberschaltung zur Ansteuerung der MOSFETs befindet sich auf dem Chip, einschließlich einer Ladungspumpe zur Ansteuerung der High-Side-N-Kanal-MOSFETs.
Aktive Schaltung mit geringem Durchlasswiderstand als Ersatz für dissipative passive Diodenbrücken
Eigenständige Treiberschaltung für MOSFETs
Entwickelt für die Unterstützung von IEEE-802.3af / at / bt und PoH
Integrierte 0,16 Ohm N-Kanal-MOSFETs für 0,3 Ohm Gesamtpfadwiderstand
Anzeige der vorhandenen Leistung zur Identifizierung der 4-Paar-Brückenleistung
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