Infineon Trench-IGBT 3 FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW EasyPIM

RS Best.-Nr.:: 348-972
Herst. Teile-Nr.:: FB50R07W2E3B23BOMA1
Marke:: Infineon

Infineon Trench-IGBT 3 FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW EasyPIM

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Herst. Teile-Nr.:: FB50R07W2E3B23BOMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	Serie	FB50R07W2E3_B23
	Gehäusegröße	EasyPIM
	Montageart	Schraubanschlussklemme
	Channel-Modus	Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Durchlassspannung Vf	1.95V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Transistor-Konfiguration	Trench-IGBT 3
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	IEC 60747, 60749, 60068
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	Serie FB50R07W2E3_B23
	Gehäusegröße EasyPIM
	Montageart Schraubanschlussklemme
	Channel-Modus Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Durchlassspannung Vf 1.95V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Transistor-Konfiguration Trench-IGBT 3
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen IEC 60747, 60749, 60068
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FB50R07W2E3B23BOMA1

Ursprungsland:: DE

Das Infineon EasyPIM 2B 650 V, 50 A Interleaved PFC Stage integriert einen Gleichrichter, einen zweistufigen PFC-Kanal und eine Wechselrichterstufe in einem kompakten Modul und bietet damit eine platzsparende Lösung für Leistungsanwendungen. Es ist mit einer sehr geringen Streuinduktivität ausgestattet und sorgt so für minimale Verlustleistung und verbesserte Schalteffizienz. Die Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie verbessert die PFC-Stufe und sorgt für eine höhere Effizienz und schnellere Reaktionszeiten. Dieses Modul unterstützt höhere Schaltfrequenzen von bis zu 50 kHz für die PFC-Stufe und ermöglicht so eine bessere Leistung in anspruchsvollen Anwendungen. Der Trenchstop IGBT 3 und die emittergesteuerten 3 Dioden verbessern die Zuverlässigkeit und die Betriebseffizienz weiter.

Kompaktes Design mit Easy 2B-Paket

Bestes Kosten-Leistungs-Verhältnis, das zu reduzierten Systemkosten führt

Ermöglicht Hochfrequenzbetrieb und reduzierte Kühlanforderungen

Infineon Trench-IGBT 3 FB50R07W2E3_B23 Typ P-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET Entleerung 20 mW EasyPIM

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