Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 81 A 326 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-206
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMBG75R020M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 326W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 326W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.
Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon
Treiberquellen-Pin verfügbar
Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien
Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung
Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung
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