Infineon IMW65 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 53 A, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R033M2HXKSA1

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RS Best.-Nr.:
351-865
Herst. Teile-Nr.:
IMW65R033M2HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

53A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

194W

Serie

IMW65

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

21.5 mm

Länge

16.3mm

Höhe

5.3mm

Normen/Zulassungen

JEDEC for Industrial Applications

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mΩ G2 im TO-247-3-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und ermöglicht ein beschleunigtes Systemdesign für kostenoptimierte, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen. Die Generation 2 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei den Leistungsmerkmalen sowohl für den hart schaltenden Betrieb als auch für weich schaltende Topologien aus und eignet sich für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Hervorragende Leistungskennzahlen (FOMs)

Klassenbester RDS(on)

Hohe Robustheit und Gesamtqualität

Flexibler Steuerspannungsbereich

Unterstützung für unipolare Ansteuerung (VGSoff=0)

Beste Immunität gegen Anschalteffekte

Verbesserte Paketverknüpfung mit .XT

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