Infineon IGOT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 89 W, 20-Pin PG-DSO-20

RS Best.-Nr.:: 351-879
Herst. Teile-Nr.:: IGOT65R055D2AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGOT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 89 W, 20-Pin PG-DSO-20

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RS Best.-Nr.:: 351-879
Herst. Teile-Nr.:: IGOT65R055D2AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	28A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	IGOT65
	Gehäusegröße	PG-DSO-20
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	20
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.066Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	JEDEC for Industrial Applications
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie IGOT65
	Gehäusegröße PG-DSO-20
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 20
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.066Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IGOT65R055D2AUMA1

Ursprungsland:: ID

Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem von oben gekühlten DSO-Gehäuse untergebracht und wurde für eine optimale Verlustleistung in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt.

650 V E-Mode-Leistungstransistor

Ultraschnelles Schalten

Keine Reverse-Recovery-Ladung

Fähigkeit zur Rückleitung

Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung

Überlegene Robustheit der Kommutierung

Niedrige dynamische RDS(on)

Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Oberseitig gekühltes Gehäuse

JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)

Infineon IGOT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 89 W, 20-Pin PG-DSO-20

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