Infineon FF4000 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 3300 V / 500 A 20 mW AG-XHP2K33

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.5'030.655

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.5'030.66

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-986
Herst. Teile-Nr.:
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500A

Drain-Source-Spannung Vds max.

3300V

Gehäusegröße

AG-XHP2K33

Serie

FF4000

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Durchlassspannung Vf

5.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Höhe

40mm

Länge

140mm

Breite

100 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul ist für Anwendungen mit hoher Leistung ausgelegt. Es verfügt über eine Bemessungsspannung von 3,3 kV und .XT-Verbindungstechnologie, die eine verbesserte Effizienz und eine längere Lebensdauer gewährleistet. Dieses Modul ist ideal für die Dekarbonisierung von Verkehrsmitteln, Fahrantrieben und Wechselrichtern mit hoher Leistung.

Energieeffizienz

Hohe Leistungsdichte

Erhöhte Lebensdauer

Verwandte Links