Infineon FF4000 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 3300 V / 500 A 20 mW AG-XHP2K33

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RS Best.-Nr.:
351-986
Herst. Teile-Nr.:
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500A

Drain-Source-Spannung Vds max.

3300V

Gehäusegröße

AG-XHP2K33

Serie

FF4000

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Breite

100mm

Höhe

40mm

Länge

140mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon CoolSiC MOSFET-Halbbrückenmodul ist für Anwendungen mit hoher Leistung ausgelegt. Es verfügt über eine Bemessungsspannung von 3,3 kV und .XT-Verbindungstechnologie, die eine verbesserte Effizienz und eine längere Lebensdauer gewährleistet. Dieses Modul ist ideal für die Dekarbonisierung von Verkehrsmitteln, Fahrantrieben und Wechselrichtern mit hoher Leistung.

Energieeffizienz

Hohe Leistungsdichte

Erhöhte Lebensdauer

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