Starpower DOSEMI Einzelschalter-Kanal, Durchsteckmontage SiC-MOSFET ohne Diode N 1200 V / 37 A 162 W, 4-Pin Band und

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.7.242

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.7.24
10 - 99CHF.6.52
100 - 499CHF.6.00
500 - 999CHF.5.58
1000 +CHF.4.54

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
427-759
Herst. Teile-Nr.:
DM800S12TDRB
Marke:
Starpower
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Starpower

Kabelkanaltyp

Einzelschalter

Produkt Typ

SiC-MOSFET ohne Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

37A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

DOSEMI

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

4.1V

Maximale Verlustleistung Pd

162W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Starpower MOSFET Power Discrete bietet extrem niedrige Leitungsverluste sowie niedrige Schaltverluste. Sie wurden für Anwendungen wie Hybrid- und Elektrofahrzeuge entwickelt.

SiC-Leistungs-MOSFET

Niedriger RDS(ein)

Gehäuse mit niedriger Induktivität verhindert Schwingungen

RoHS

Verwandte Links