onsemi NTD2955T4G P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 463-038P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD2955T4G
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF.0.609
| Stück | Pro Stück |
| 20 - 40 | CHF.0.609 |
| 50 - 90 | CHF.0.599 |
| 100 - 240 | CHF.0.588 |
| 250 + | CHF.0.441 |
- RS Best.-Nr.:
- 463-038P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD2955T4G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 12 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 55 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 6.73mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 6.22mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 2.38mm |