N-Kanal MOSFET, 30 V / 1,9 A, 830 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 509-324
  • Herst. Teile-Nr. BSH108,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 1,9 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 120 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 830 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 1mm
Länge 3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -65 °C
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.4mm
760 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
640 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
CHF .0.480
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 140
CHF.0.480
CHF.9.595
160 - 740
CHF.0.293
CHF.5.757
760 - 1480
CHF.0.269
CHF.5.476
1500 +
CHF.0.222
CHF.4.400
*Bitte VPE beachten