Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,9 A 830 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 509-324
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
580 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
2480 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 20)
CHF.0.336
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 20 - 140 | CHF.0.336 | CHF.6.804 |
| 160 - 740 | CHF.0.20 | CHF.4.074 |
| 760 - 1480 | CHF.0.189 | CHF.3.885 |
| 1500 + | CHF.0.158 | CHF.3.108 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 509-324
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 120 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 830 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,4 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 509-324
- Herst. Teile-Nr.:
- BSH108,215
- Marke:
- Nexperia