Microchip Dualer N-Kanal TD9944 Zweifach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 240 V Erweiterung / 2.8 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 598-332
- Herst. Teile-Nr.:
- TD9944TG-G
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 3300 Stück)*
CHF.8'177.40
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3300 + | CHF.2.478 | CHF.8'187.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-332
- Herst. Teile-Nr.:
- TD9944TG-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TD9944 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Certificate of Compliance | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TD9944 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Certificate of Compliance | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 3.9 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die vertikalen Microchip-MOSFETs mit doppeltem N-Kanal-Verstärkungsmodus verwenden das bewährte Fertigungsverfahren mit Silizium-Gate von Supertex. Diese Kombination bietet Leistungsummantelungsfunktionen, die denen von bipolaren Transistoren ähnlich sind, sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst in anspruchsvollen Umgebungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Durchlasswiderstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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