Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1 W,

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RS Best.-Nr.:
598-554
Herst. Teile-Nr.:
TN0104N3-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal vertikaler DMOS-FET

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

450mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-92-3 (TO-226AA)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.3mm

Länge

4.2mm

Breite

4.2 mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Mode-Transistor mit niedrigem Schwellenwert von Microchip ist mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem etablierten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate gebaut. Dieses Design kombiniert die Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten. Wie alle MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch.

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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