Microchip VN2106 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 600 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 598-580
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2106N3-G
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Beutel mit 2000 Stück)*
CHF.686.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.0.343 | CHF.694.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-580
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2106N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.82Zoll | |
| Länge | 0.205Zoll | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.82Zoll | ||
Länge 0.205Zoll | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.
Einfache Parallelschaltung
Geringer Stromverbrauch
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Verwandte Links
- Microchip Einfach TN0110 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 350 mA, 3-Pin TO-92
- Microchip VP0808 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 280 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0106 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 3.4 A 1 W, 3-Pin TO-92
- Microchip VP3203 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V, 3-Pin TO-92
- Microchip LP0701 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 16.5 V, 3-Pin TO-92
- Microchip VN0104 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0604 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V, 3-Pin TO-92
- Microchip TN0702 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V, 3-Pin TO-92