Microchip TN0620 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- RS Best.-Nr.:
- 598-650
- Herst. Teile-Nr.:
- TN0620N3-G
- Marke:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 450mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TN0620 | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.2mm | |
| Breite | 4.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 450mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TN0620 | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.2mm | ||
Breite 4.2 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Mode-Transistor mit niedrigem Schwellenwert von Microchip ist mit einer vertikalen DMOS-Struktur und einem etablierten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate gebaut. Dieses Design kombiniert die Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten. Wie alle MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch.
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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