Microchip TP2104 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- RS Best.-Nr.:
- 598-851
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2104N3-G-P003
- Marke:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.1'232.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF 0.616 | CHF 1'236.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-851
- Herst. Teile-Nr.:
- TP2104N3-G-P003
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal vertikaler DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 450mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Serie | TP2104 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 4.2mm | |
| Breite | 4.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal vertikaler DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 450mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Serie TP2104 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 4.2mm | ||
Breite 4.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.
Einfache Parallelschaltung
Geringer Stromverbrauch
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Verwandte Links
- Microchip TN2435 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TN2425 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TN0104 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TP0604 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TN2504 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TN5325 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TP5322 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip TN2640 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1