Microchip 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 115 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 644-261P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002-G
- Marke:
- Microchip
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- 2N7002-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-Transistor von Microchip ist ein Enhancement-Mode-Transistor mit niedrigem Schwellenwert, der eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess nutzt. Durch diese Kombination entsteht ein Produkt mit der Leistungsfähigkeit von bipolaren Transistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Bauelementen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist.
Sekundärdurchbruchfrei
Niedriger Leistungsbedarf des Antriebs
Einfaches Parallelisieren
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