ROHM RV4 Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -20 V 1.5 W, 8-Pin DFN1616-6W
- RS Best.-Nr.:
- 646-539P
- Herst. Teile-Nr.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 646-539P
- Herst. Teile-Nr.:
- RV4C060ZPHZGTCR1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | RV4 | |
| Gehäusegröße | DFN1616-6W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie RV4 | ||
Gehäusegröße DFN1616-6W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-20-Volt-6-Ampere-Kleinsignal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM ist zu 100 % ungeklemmt induktiv geschaltet, mit Nass-Flanken-Test für automatische optische Inspektion geprüft und verfügt über eine 130-Mikrometer-Elektroden-Teilegarantie.
Geringer Durchlasswiderstand
Kleines Gehäuse mit hoher Leistung
Niederspannungsantrieb (1,5 V)