ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 53 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.69.30

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
100 - 490CHF.0.693
500 - 990CHF.0.62
1000 +CHF.0.494

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
646-545P
Herst. Teile-Nr.:
RD3L04BBLHRBTL
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RD3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

6.8 mm

Länge

10.50mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 60 Volt und 40 Ampere Leistung verfügt über eine bleifreie Beschichtung und erfüllt die Anforderungen an die Beschränkung gefährlicher Stoffe. Er ist zu hundert Prozent Avalanche-getestet

Geringer Durchlasswiderstand

AEC-Q101 qualifiziert