ROHM RJ1 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V 89 W, 3-Pin TO-263AB
- RS Best.-Nr.:
- 646-551P
- Herst. Teile-Nr.:
- RJ1R04BBHTL1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 646-551P
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- RJ1R04BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | RJ1 | |
| Gehäusegröße | TO-263AB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.36mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Höhe | 4.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie RJ1 | ||
Gehäusegröße TO-263AB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.36mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Höhe 4.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 150 Volt und 40 Ampere Leistung zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, ein Hochleistungsgehäuse des Typs TO 263AB, eine bleifreie Beschichtung und die Einhaltung der Beschränkungen für gefährliche Stoffe aus.
Halogenfrei
100 % Rg- und UIS-getestet