ROHM RS7E200 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 390 A 180 W, 8-Pin DFN5060-8S
- RS Best.-Nr.:
- 646-623P
- Herst. Teile-Nr.:
- RS7E200BGTB1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 390A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | DFN5060-8S | |
| Serie | RS7E200 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb Free, Halogen Free, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 390A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße DFN5060-8S | ||
Serie RS7E200 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Pb Free, Halogen Free, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM Power MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanlagen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler.
PVC-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei
100% Rg und UIS getestet