onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 66 A 38 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 648-507P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4D7N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.33.30
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 490 | CHF.0.333 |
| 500 - 990 | CHF.0.192 |
| 1000 + | CHF.0.192 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-507P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4D7N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Serie | NTM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Serie NTM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Die neueste 40-V-Standard-Gate-Leistungs-MOSFET-Technologie von ON Semiconductor mit dem besten Einschaltwiderstand der Klasse für Motortreiberanwendungen. Niedrigerer Widerstand im eingeschalteten Zustand und geringere Gate-Ladung können Leitungs- und Antriebsverluste verringern. Eine gute Softness-Steuerung für die Rückwärtserholung der Body-Diode kann die Belastung durch Spannungsspitzen ohne zusätzliche Snubber-Schaltung in der Anwendung reduzieren.
Latest 40-V-Standard-Gate-Leistungs-MOSFET-Technologie
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrigere Gate-Ladung