onsemi NVM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 66 A 38 W, 5-Pin DFN-5
- RS Best.-Nr.:
- 648-508P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.64.10
Auf Lager
- 1’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 490 | CHF.0.641 |
| 500 - 990 | CHF.0.378 |
| 1000 + | CHF.0.368 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 648-508P
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Gehäusegröße | DFN-5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVM | ||
Gehäusegröße DFN-5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 5 x 6 mm Flachkabelgehäuse wurde für kompakte und effiziente Designs entwickelt und umfasst eine hohe thermische Leistung. Belüftbare Flanke-Option für verbesserte optische Inspektion. Qualifizierter AEC-Q101-MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Kleine Abmessungen
Niedriger RDS(ein)
Niedrige QG und Kapazität
Belüftbare Flanke-Option
AEC−Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
RoHS-Konformität