Vishay SQJQ114EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 136 A 277 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-072
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ114EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.2.153
Auf Lager
- 3’799 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.15 |
| 10 - 24 | CHF.2.09 |
| 25 - 99 | CHF.2.06 |
| 100 - 499 | CHF.1.74 |
| 500 + | CHF.1.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-072
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ114EL-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 136A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SQJQ114EL | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0055Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 277W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 8 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 1.9mm | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 136A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SQJQ114EL | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0055Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 277W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 8 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 1.9mm | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay in der Kfz-Klasse ist für hocheffizientes Stromschalten in rauen Umgebungen optimiert. Er unterstützt eine Ablassquellenspannung von bis zu 100 V und arbeitet zuverlässig bei Anschlusstemperaturen von bis zu 175 °C. Er ist in einem PowerPAK 8x8L-Gehäuse untergebracht und nutzt die TrenchFET Gen IV-Technologie für überlegene thermische und elektrische Leistung.
AEC Q101 qualifiziert
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- Vishay SQJQ114EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 136 A 277 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ14 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 345 A 277 W, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SQS178EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 72 V / 54 A 65 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQ2310CES Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ190 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 19.6 A 45 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQS146 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 94 A 91 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJQ140ER Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 413 A 214 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQS174ELNW Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 72 V / 87 A 103 W, 8-Pin PowerPAK