Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-104
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 653-104
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SISS32LDN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SISS32LDN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist er ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Batterie-/Lastumschaltung.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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