Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-104
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SISS32LDN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SISS32LDN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Einfache MOSFETs der Serie SISS32LDN von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 80 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 63 A – SISS32LDN-T1-BE3
Dieses einzelne MOSFET-Gerät ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-MOSFET, der für Antriebs- und Schaltanwendungen geeignet ist, bei denen eine hohe Drain-Source-Spannung und eine robuste Stromverarbeitung erforderlich sind. Die Komponente wird in einem kompakten PowerPAK-Gehäuse geliefert, das für die SMD-Montage vorgesehen ist und den RoHS-Anforderungen entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• 80 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • Kontinuierlicher Ablassstrom von 63 A unterstützt die Leitung starker Lasten • Niedriger RDS(on) von 0,0072 Ω minimiert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 65,7 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz • 17,7 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltenergie • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für DC/DC-Wandler in Stromverteilungsmodulen • Wird für das Schalten von Lasten in industriellen Steuergeräten verwendet • Kann für Batteriemanagement und Hochstromverteilung verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?
Die Gate-to-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um die Gate-Dielektrische Belastung zu vermeiden.
Welche thermischen Überlegungen gelten beim Leiterplatten-Layout?
Aufgrund der Verlustleistung von 65,7 W sollten die Konstrukteure eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen für die Wärmeausbreitung bereitstellen und bei Bedarf an eine Kühlkörperebene anschließen.
Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf elektromagnetische Emissionen aus?
Die Gate-Ladung von 17,7 nC beeinflusst Anstiegs- und Abfallzeiten
Die Steuerung von Gate-Drive-Slew-Raten und das Hinzufügen von Snubbern helfen bei der Verwaltung von Schalttransienten und EMI.
Welche Umgebungsbedingungen kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Einsatz bis zu -55 °C und bis zu 150 °C Sperrschichttemperatur spezifiziert und somit für einen breiten Umgebungsbereich geeignet.
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