ROHM RY7P250BM Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 340 W, 8-Pin DFN8080T8LSHAAI
- RS Best.-Nr.:
- 687-343P
- Herst. Teile-Nr.:
- RY7P250BMTBC
- Marke:
- ROHM
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- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | DFN8080T8LSHAAI | |
| Serie | RY7P250BM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße DFN8080T8LSHAAI | ||
Serie RY7P250BM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Dieser MOSFET ist ideal für den Einsatz in Hot Swap-Controllern und anderen Leistungsschaltanwendungen, wo sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 1,86 mΩ minimalen Energieverlust während des Betriebs gewährleistet. Diese Komponente ist RoHS- und halogenfrei, was sie zu einer sicheren Wahl für umweltbewusste Designs macht. Mit fortschrittlichen Funktionen wie 100 % Rg und UIS-Tests garantiert er eine robuste Leistung unter verschiedenen Bedingungen und eignet sich daher für leistungsstarke und hochzuverlässige elektronische Schaltungen.
Niedriger Einschaltwiderstand für erhöhte Effizienz
Breite SOA-Eigenschaften für überragende Zuverlässigkeit
Entwickelt für kontinuierliche Ablassströme bis zu 250 A
Hohe Impuls-Drain-Stromfähigkeit bei ±900 A
Ausgezeichnetes Wärmemanagement mit einem Wärmewiderstand von 0,44 °C/W
Geeignet für einen weiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
Erfüllt die RoHS- und halogenfreien Normen.