ROHM R8019KNZ4 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 800 V 208 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 687-367P
- Herst. Teile-Nr.:
- R8019KNZ4C13
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- R8019KNZ4C13
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | R8019KNZ4 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.265Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.22mm | |
| Länge | 40mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 16.24 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie R8019KNZ4 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.265Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.22mm | ||
Länge 40mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 16.24 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine hocheffiziente Leistung in elektronischen Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 800 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von 19 A verwaltet dieses Gerät effektiv erhebliche Leistungslasten bei geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand. Mit seinen fortschrittlichen Schaltfunktionen bietet er schnelle Reaktionszeiten, die für einen effizienten Schaltkreisbetrieb unerlässlich sind. Die Kapselung in einem TO-247G-Gehäuse gewährleistet eine einfache Montage und eine hervorragende thermische Leistung, wodurch sie sich ideal für das Energiemanagement in industriellen Systemen bis hin zur Unterhaltungselektronik eignet.
Niedriger Einschaltwiderstand von nur 0,265 Ω, was die Energieeffizienz erhöht
Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von ±19 A, der eine erhebliche Leistungsaufnahme ermöglicht
Schnelle Schaltleistung optimiert den Betrieb dynamischer Schaltungen
Pb-freie Bleibeschichtung gewährleistet die Einhaltung von Umweltstandards
Robuste Lawinenwerte unterstützen einen zuverlässigen Betrieb unter transienten Bedingungen
Ideal für den parallelen Einsatz, der die Konfiguration mehrerer Geräte vereinfacht.