ROHM RH7G04BBJFRAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 40 A 75 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB
- RS Best.-Nr.:
- 687-447P
- Herst. Teile-Nr.:
- RH7G04BBJFRATCB
- Marke:
- ROHM
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- RH7G04BBJFRATCB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | DFN3333T8LSAB | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 75W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße DFN3333T8LSAB | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 75W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von -40 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von bis zu 40 A eignet sich dieses Bauteil hervorragend für das Energiemanagement. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 11,9 mΩ verbessert die Energieeffizienz und macht ihn zu einer idealen Wahl für Automobil- und Industriesysteme. Dieser MOSFET wurde für Temperaturen von -55 bis 175 °C entwickelt und gewährleistet Langlebigkeit und Stabilität unter einer Vielzahl von Bedingungen, während seine AEC-Q101-Qualifikation seine Eignung für Automobilumgebungen signalisiert, was zu einer verbesserten Gerätesicherheit und -wirksamkeit beiträgt.
AEC Q101 qualifiziert für zuverlässige Automobilanwendungen
100 % Avalanche-getestet für erhöhte Sicherheit unter extremen Bedingungen
Anschlussgehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand, das eine effiziente Wärmeableitung fördert
Breiter Betriebstemperaturbereich gewährleistet Leistungsstabilität in rauen Umgebungen
Minimaler Widerstand im eingeschalteten Zustand optimiert die Energieeffizienz und reduziert den Gesamtverlust
Kapazitive Eigenschaften, die auf schnelle Schaltanwendungen zugeschnitten sind und die Leistung verbessern
Das Design der benetzbaren Flanken erleichtert das zuverlässige Löten und verbesserte Montagequalität
Eignung für verschiedene Anwendungen, einschließlich ADAS, Beleuchtung und Karosserie-Steuersysteme