ROHM RH7G04CBKFRA Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 62 W, 8-Pin DFN3333T8LSAB

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Herst. Teile-Nr.:
RH7G04CBKFRATCB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DFN3333T8LSAB

Serie

RH7G04CBKFRA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 40 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von bis zu 40 A eignet sich dieses Bauteil hervorragend für Leistungsschalt- und Verstärkungsaufgaben. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5,0 mΩ sorgt für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs und ist damit ideal für Automobil- und Industrieanwendungen. Dieses nach AEC-Q101 qualifizierte Gerät bietet eine zuverlässige Leistung mit 100 % Lawinenprüfung und gewährleistet Sicherheit und Langlebigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen.

Entwickelt für hohen Wirkungsgrad mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, wodurch die Wärmeentwicklung reduziert wird

AEC Q101 qualifiziert, um die Zuverlässigkeit für Automobilstandards zu gewährleisten

100 % Avalanche-getestet für erhöhte Sicherheit unter transienten Bedingungen

Kontinuierlicher Ablassstrom von bis zu 40 A für anspruchsvolle Anwendungen

Betriebstemperaturbereich der Verbindung von -55 °C bis +175 °C für vielseitigen Einsatz

Geeignet für Anwendungen in ADAS, Beleuchtung und Gehäuseelektronik

Erfüllt strenge Qualitätskontrollmaßnahmen für zuverlässige Leistung

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