ROHM AG191FLD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 80 A 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-454P
- Herst. Teile-Nr.:
- AG191FLD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- AG191FLD3HRBTL
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG191FLD3HRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Breite | 6.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie AG191FLD3HRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Breite 6.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A. Dieses Gerät wurde für anspruchsvolle Automobilsysteme entwickelt und zeichnet sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus, der einen geringen Leistungsverlust und ein verbessertes Wärmemanagement gewährleistet. Die robuste Konstruktion umfasst die AEC-Q101-Qualifikation und eignet sich daher für den Einsatz in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Mit seiner multidimensionalen Wärmewiderstandsfähigkeit bewältigt dieser MOSFET effektiv thermische Belastungen und gewährleistet Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen. Der AG191FLD3HRB ist ideal für Ingenieure, die ein zuverlässiges Bauteil für hocheffiziente Anwendungen suchen, und zeichnet sich durch seine Leistung und Betriebsintegrität aus.
Niedriger Einschaltwiderstand bietet verbesserten Wirkungsgrad und reduziert die Wärmeentwicklung
Pb-freie Beschichtung entspricht den RoHS-Normen für Umweltsicherheit
100 % Avalanche-Test garantiert zuverlässige Leistung unter Stress
AEC Q101 qualifiziert, um die Einhaltung der Standards der Automobilindustrie zu gewährleisten
Unterstützt einen breiten Betriebs- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Flexible Verpackungsspezifikationen mit Band- und Rollenformat für eine bequeme Montage
Integrierter Wärmewiderstand minimiert thermische Bedenken während des Betriebs
Lieferung mit präzisen Gate-Ladecharakteristiken für optimale Schaltleistung