ROHM AG086FGD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 80 A 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-456P
- Herst. Teile-Nr.:
- AG086FGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG086FGD3HRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Breite | 6.8mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie AG086FGD3HRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Breite 6.8mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion aus, die Zuverlässigkeit und Effizienz gewährleistet. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 40 V und der Fähigkeit, kontinuierliche Ströme bis zu 80 A zu verarbeiten, ist dieses Gerät eine optimale Lösung für Automobilsysteme und andere anspruchsvolle Umgebungen. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 4,1 mΩ sorgt für minimalen Leistungsverlust während des Betriebs und ist damit besonders vorteilhaft für Power-Management-Aufgaben. Dieser vollständig AEC-Q101-qualifizierte MOSFET erfüllt die strengen Automobilstandards und gewährleistet eine gleichbleibende Qualität für anspruchsvolle Anwendungen. Das Produkt unterstützt eine effiziente Wärmeableitung, die eine maximale Verlustleistung von 76 W ermöglicht und gleichzeitig einen weiten Betriebstemperaturbereich beibehält.
Niedriger Einschaltwiderstand von 4,1 mΩ verbessert die Energieeffizienz
AEC Q101-Qualifizierung gewährleistet Zuverlässigkeit auf Automobilniveau
Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 80 A für Anwendungen mit hoher Belastung
Die Fähigkeit zum gepulsten Ablassstrom erreicht 160 A für die Handhabung transienter Lasten
Unterstützt eine Gate-Source-Spannung von ±20 V für flexible Steuerung
Lawinenbeständig für erhöhte Betriebssicherheit
Die Spezifikation des Wärmewiderstands hilft bei einem effizienten Wärmemanagement