ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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Herst. Teile-Nr.:
RD3L04BBJHRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ P

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Serie

RD3L04BBJHRB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Verlustleistung Pd

77W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Länge

10.50mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für effizientes Schalten in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Dieses Bauteil hält einer Ablass-Quellenspannung von -60 V und einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von ±48 A stand und gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit einem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 30 mΩ optimiert er die Verlustleistung und erhöht so die Gesamteffizienz des Systems. Das Produkt ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert und zu 100 % Avalanche-getestet, was es zu einer idealen Wahl für kritische Anwendungen macht, bei denen Zuverlässigkeit an erster Stelle steht.

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand fördert die Energieeffizienz

Die AEC Q101-Qualifikation gewährleistet hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen

100 % Avalanche-Test gewährleistet die Leistung unter Belastung

Kompatibel mit einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C für vielseitigen Einsatz

Die Avalanche-Energiefähigkeit von 34,9 mJ erhöht die Robustheit unter dynamischen Bedingungen

Vollständige elektrische Eigenschaften bei 25 °C ermöglichen eine präzise Anwendung in Designs

Die geprägte Verpackung garantiert eine sichere und effiziente Lagerung und Handhabung

Optimiert für verschiedene Anwendungen, einschließlich ADAS, Infotainment und Beleuchtung

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