ROHM SH8MD5HT Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 2.0 W, 8-Pin SOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 687-485P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MD5HTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 687-485P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8MD5HTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Serie | SH8MD5HT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 167mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.0W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.3mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Serie SH8MD5HT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 167mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.0W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.3mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal- und P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes Energiemanagement in elektronischen Anwendungen entwickelt. Dieses Gerät zeichnet sich durch einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Verlustleistung aus, was es zu einer idealen Wahl für Motorantriebsanwendungen macht. Mit N- und P-Kanal-Konfigurationen ermöglicht er vielseitige Schaltungsentwürfe in kompakten SOP8-Gehäusen. Die robuste Konstruktion des MOSFET gewährleistet, dass er die strengen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Konformität erfüllt, einschließlich RoHS- und halogenfreier Zertifizierungen, die für moderne elektronische Komponenten unerlässlich sind.
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Effizienz und thermische Leistung
Kompaktes SOP8-Gehäuse bietet platzsparende Lösungen für Leiterplatten-Designs
Pb-frei und RoHS-konform, um eine umweltfreundliche Herstellung zu gewährleisten
Halogenfreie Konstruktion fördert Sicherheit und Nachhaltigkeit
Sowohl für N-Kanal- als auch für P-Kanal-Anwendungen geeignet und bietet Designflexibilität
Zuverlässiger Betrieb mit 100 % Rg und UIS-Test für hohe Qualitätssicherung
Außergewöhnliche Lawinenbelastbarkeit für den robusten Umgang mit transienten Bedingungen.