DiodesZetex DMP3056L P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -4.3 A 1.38 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 718-552
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3056L-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMP3056L-7
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | DMP3056L | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 2.55mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie DMP3056L | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 2.55mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET wurde für effiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Diese Komponente wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig überlegene Schaltfähigkeiten zu gewährleisten. Sie eignet sich besonders für Kfz-Anwendungen, die strenge Zuverlässigkeitsstandards erfordern. Sein kompaktes SOT23-Gehäuse erleichtert die einfache Integration in vielfältige elektronische Schaltkreise und macht ihn zu einer unverzichtbaren Wahl für Ingenieure, die die Geräteleistung und Energieeffizienz in ihren Entwürfen verbessern möchten.
Verwendet einen geringen Einschaltwiderstand zur Verbesserung der Gesamteffizienz
Entwickelt mit einer niedrigen Gate-Schwellenspannung für eine verbesserte Steuerung in Stromkreisanwendungen
Zeigt schnelle Schaltgeschwindigkeit, entscheidend für Hochfrequenzanwendungen
Bietet geringe Eingangs- und Ausgangslecks, was zur Energieeinsparung beiträgt
Verpackt in einem bleifreien und vollständig RoHS-konformen Format, das Umweltstandards erfüllt
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1 ermöglicht eine Vielzahl von Betriebsumgebungen
Bietet eine kompakte Abmessung ohne Kompromisse bei der thermischen Leistung und Stabilität
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