DiodesZetex DMP2004K P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -600 mA 550 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-520
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2004K-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
15000 weitere Einheiten hinzufügen, um - zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF 153.00
Vorübergehend ausverkauft
- 6'000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Mai 2027
- Zusätzlich 6'000 Einheit(en) mit Versand ab 11. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 3000 - 12000 | CHF 0.051 | CHF 157.56 | - |
| 15000 + | CHF 0.051 | CHF 154.53 | - |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 719-520
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2004K-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | DMP2004K | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 550mW | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 2.5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie DMP2004K | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 550mW | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 2.5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Diese Komponente zeichnet sich durch die Minimierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand aus und sorgt gleichzeitig für eine hervorragende Schaltleistung, womit sie sich ideal für Automobil- und andere Anwendungen eignet, die eine zuverlässige Umschaltkontrolle erfordern. Mit einer robusten Bauweise, die die AEC-Q101-Zulassung erfüllt, wird dieses Gerät in Anlagen gefertigt, die nach IATF 16949-Standards zertifiziert sind, was Qualität und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet.
Niedriger Einschaltwiderstand sorgt für effizientes Strommanagement
Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht Kompatibilität mit einer Reihe von Spannungsanwendungen
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten tragen zu einer verbesserten Leistung in dynamischen Stromkreisen bei
Geringe Eingangskapazität ermöglicht eine effektive Minimierung von Energieverlusten
ESD-geschütztes Gate erhöht die Zuverlässigkeit gegen Überspannungen
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform, in Übereinstimmung mit den Umweltstandards
Halogen- und antimonfreies Design unterstützt grüne Produktinitiativen
Geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine spezifische Wechselsteuerung erfordern
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP2004K P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -600 mA 550 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 75 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 35 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.6 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMP6A13F Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.1 A 806 mW, 3-Pin SOT-23