DiodesZetex DMP3013SFV P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -35 A 31 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-554
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3013SFV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 719-554
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3013SFV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | DMP3013SFV | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.4mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie DMP3013SFV | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33.7nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.4mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 30V P-Kanal-Verstärkungsmodus MOSFET, entwickelt, um eine überlegene Schaltleistung zu bieten und gleichzeitig den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren. Die kompakte PowerDI3333-8-Verpackung ist thermisch effizient und ermöglicht eine höhere Dichte in Endprodukten. Dieser MOSFET eignet sich besonders für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen und bietet erhebliche Vorteile in Bezug auf Designflexibilität und Platzoptimierung.
Kleiner Formfaktor reduziert die Platinenfläche um 33 % im Vergleich zu SO-8-Gehäusen
Wärmeeffizientes Design ermöglicht eine höhere Dichte in Endprodukten
ESD-geschütztes Gate erhöht die Zuverlässigkeit in empfindlichen Anwendungen
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform, um die Umweltsicherheit zu gewährleisten
Halogen- und antimonfrei, was es zu einem "grünen" Gerät macht
Das Gewicht beträgt ca. 0,03 Gramm, was leichte Designs erleichtert
Erfüllt die UL-Entflammbarkeitsklasse von 94V-0 für erhöhte Sicherheit
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