Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- RS Best.-Nr.:
- 735-133
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRS5800DP
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.434
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.43 |
| 10 - 49 | CHF.2.12 |
| 50 - 99 | CHF.1.65 |
| 100 + | CHF.1.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 735-133
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRS5800DP
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 265A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8S | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 80V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2mm | |
| Länge | 6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 265A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8S | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 80V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2mm | ||
Länge 6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für die verlustarme synchrone Gleichrichtung in KI-Leistungsserver-Abwärtswandlern optimiert. Er erreicht einen branchenführenden Einschaltwiderstand von maximal 1,8 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für überlegene Effizienz unter hohen Lastbedingungen.
265 A Impuls-Drain-Nennstrom
81 nC typische Gate-Gesamtladung
52 °C/W thermischer Widerstand von der Verbindung zum Gehäuse
Verwandte Links
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 241 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 518 A 245 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 473 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 359 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S
- Vishay SIRS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 70.6 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S