Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-146
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR638ADP
- Marke:
- Vishay
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- SiR638ADP
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00088Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Durchlassspannung Vf | 40V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 7mm | |
| Höhe | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00088Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Durchlassspannung Vf 40V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6mm | ||
Länge 7mm | ||
Höhe 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 40 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für DC/DC-Wandler mit hoher Leistungsdichte in KI-Serveranwendungen optimiert. Er bietet einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 0,88 mΩ bei 10-V-Gate-Ansteuerung für eine hervorragende Leitungswirkung in synchronen Gleichrichtschaltungen.
147S Forward-Trans-Leitfähigkeit
110 nC Gate-Gesamtladung bei 10 V VGS
Qgd/Qgs-Verhältnis von weniger als 1 für optimiertes Schalten
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