Vishay SiH N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 600 V / 42 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 735-155
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHK055N60E
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SiH | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.049Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Durchlassspannung Vf | 600V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10mm | |
| Höhe | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SiH | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.049Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Durchlassspannung Vf 600V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10mm | ||
Höhe 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen
94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C
54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten
Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C
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